40V低功耗降壓DCDC電源芯片，40V,1A易用高性能同步降壓轉換器KP52140X(A)是一款簡單易用的同步降壓直流/直流轉換器，能夠驅動高達1A的負載電流。它具有6V至40V的寬輸入范圍，因此適用于工業領域中非穩壓電源的電源調節。KP52140X(A)內部集成低導通電阻的P型高側MOSFET和N型低側MOSFET，省掉了外部自舉電容和肖特基二極管。在內部實現了軟啟動和補償電路減少了**元器件的數量，固定5V或3.3V的輸出方式可進一步減少**元器件數量，從而輕松實現單層PCB布局。KP52140X(A)典型開關頻率為100kHz，采用低開關速率設計適用于有EMI要求的應用場合。KP52140X(A)內置有完善的保護功能：輸入過壓保護(VINOVP)、輸入欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制(OCL)、輸出過壓保護(VOUTOVP)、輸出欠壓保護(VOUTUVP)，和過溫保護(OTP)，以確保其在不同的工作條件下保持安全、可靠運行。KP52140X(A)采用TSOT23-5和TSOT23-6封裝，可節約布局空間。在穩態工作時，芯片通過反饋二極管由輸 出進行供電，同時借助高壓啟動電路，系統待機功 耗可以低至 50mW 以下。廣東非隔離BUCK電源芯片定制
當過流或者過熱故障發生時，芯片進入到自動重啟和VDD振蕩模式中。在此過程中高壓MOSFET不允許導通，同時VDD電容上電壓持續在4.87V和4.38V之間振蕩。通過芯片內部數字計數器對振蕩周期的計數，當振蕩周期數超過511次時芯片退出保護模式并重新開始工作。如果故障解除，系統開始正常工作；否則系統再次進入振蕩模式。為確保系統工作穩定，推薦KP311A系統工作于淺度CCM狀態，即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：輸出電壓；Vf：續流二極管壓降；Toff_min：IC設定內部**小Toff時間，約32us；ΔI：電感紋波電流，CCM條件下為2*(Iocp-Io_max)。舉例來講，參考5V-100mA輸出規格，設定Io_max為額定輸出電流的1.2倍，即120mA；廣東非隔離BUCK電源芯片定制支持使用MLCC 陶瓷電容，且支持低輸出電容數量。
我們芯片采用高壓集成工藝，內部集成有500V高壓MOSFET，適用于小家電和輔助電源應用場合所需的離線式降壓電路和升降壓電路，也可用于線性電源的替代型電源。芯片采用開關式峰值電流模式控制，默認5V高精度輸出時很大程度降低了系統成本。此外，芯片經過內部優化，可兼容**壓輸入(15Vdc以上)應用。IC芯片的靜態工作電流典型值為150uA。如此低的工作電流降低了對于VDD電容大小的要求，同時也可以幫助系統降低成本。通常條件下建議使用0.1-1uF瓷片電容。
給藍牙模塊供電，220V降壓3.3V，輸出可調，電路簡單。芯片內部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調節，可以有效降低空載情況下的待機功耗。KP35062集成有完備的帶自恢復功能的保護功能：VDD欠壓保護、逐周期電流限制、輸出過壓保護、過熱保護、過載保護等。主要特點?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?集成續流二極管?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓撲?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開關頻率?良好的線性調整率和負載調整率?集成軟啟動電路?內部保護功能：?過載保護(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(OVP)?過溫保護(OTP)?封裝類型SOP-8采用恒定導通時間控制實現超快速的動態響應。
固定5V輸出、高性能低成本離線式PWM控制功率KP320X是一款系列化的高性能低成本PWM控制功率開關，適用于離線式小功率降壓型應用場合，外圍電路簡單、器件個數少。同時產品內置高耐壓MOSFET可提高系統浪涌耐受能力。與傳統的PWM控制器不同，KP320X內部無固定時鐘驅動MOSFET，系統開關頻率隨負載變化可實現自動調節。同時芯片采用了多模式PWM控制技術，有效簡化了外圍電路設計，提升線性調整率和負載調整率并消除系統工作中的可聞噪音。此外，芯片內部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調節，可以有效降低空載情況下的待機功耗。低開關損耗的特 點， 適合于降壓型拓撲。中國香港低功耗18V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片加工
芯片靜態工作電流典型值為 200uA。如此 低的工作電流降低了對于 VDD 電容大小的要求， 同時也可以提高系統效率。廣東非隔離BUCK電源芯片定制
芯片內部**小Toff時間固定為32us，同時為了優化系統EMI系統還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實際工作中，系統開關頻率取決于負載狀態以及VDD電壓與輸出電壓基準的高低，所以系統工作在調頻模式中。芯片內部差分采樣電路采樣流經高壓MOS電流的壓差作為內部過流比較器的輸入。當過流比較器翻轉時高壓MOSFET關斷直至下一個周期重新開通。為了避免開通瞬間的干擾，芯片內設計有前沿消隱電路(典型值400ns)，在此時間內過流比較器不翻轉且高壓MOSFET不允許關斷。廣東非隔離BUCK電源芯片定制