芯片內部**小Toff時間固定為32us，同時為了優化系統EMI系統還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實際工作中，系統開關頻率取決于負載狀態以及VDD電壓與輸出電壓基準的高低，所以系統工作在調頻模式中。芯片內部差分采樣電路采樣流經高壓MOS電流的壓差作為內部過流比較器的輸入。當過流比較器翻轉時高壓MOSFET關斷直至下一個周期重新開通。為了避免開通瞬間的干擾，芯片內設計有前沿消隱電路(典型值400ns)，在此時間內過流比較器不翻轉且高壓MOSFET不允許關斷。系列是一款高性能低成本 PWM 控制功 率開關，適用于離線式小功率降壓型應用場合，**電路簡單、器件個數少。四川低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片原廠
在輕載條件下，系統工作在斷續模式下。故實際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統損耗，隨著負載的降低會自動降低峰值電流基準以滿足**待機的要求。內集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能，當芯片***次啟動時過流保護閾值逐漸增加，而且每次系統的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。當過流或短路情況發生時，輸出電壓和VDD將降低，如果在128ms(典型值)的時間內每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開通，則芯片識別此情況為過流或短路故障已發生，并停止開關動作之后進入自動重啟模式(如下描述)。北京AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片定制設計的軟驅動功能的驅動電路優化了系統 EMI 性能。
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另外為了優化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩定運行，在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外，推薦另外再添加一個 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是，雖然陶瓷電容具有優良的高頻性能和穩定的使用壽命，但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場景下，實際VIN 引腳上的電壓可能會由于陶瓷電容的低ESR 特性出現振蕩，**惡劣時甚至會振蕩到2 倍的 VIN 電壓，從而過壓擊穿芯片。此時，推薦在輸入電壓端額外并聯加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過壓的情況。同時產品內置高耐壓 MOSFET 可提高系統浪涌耐受能力。
集成了輸出過壓保護(OVP) 功能，以減小輸出電壓過沖，并保護下游用電設備免受在輸出故障條件或者突減負載時可能出現的高壓尖峰的損壞。OVP 電路通過監測反饋電壓(VFB) 檢測過壓條件。當VFB 超過 OVP 閾值 (VOVP) 時，OVP 比較器輸出置高，內置高側和低側MOSFET 都將關閉，以避免VOUT 進一步升高。一旦VOUT 低于 VOVP，芯片開始再次工作。輸出過壓保護功能為非鎖存功能。IC內部集成了紋波注入電路來模擬輸出電壓紋波從而實現了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩定工作。另外，內部還集成了一個斜坡信號產生電路，以減少開關抖動。在此時間內過流比較器不翻轉且高壓 MOSFET 不允許關斷。山東AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片加工
內部功率MOSFET 漏極，當輸入電壓下降至充電窗口區間 時向后級提供能量。四川低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片原廠
我們芯片采用高壓集成工藝，內部集成有500V高壓MOSFET，適用于小家電和輔助電源應用場合所需的離線式降壓電路和升降壓電路，也可用于線性電源的替代型電源。芯片采用開關式峰值電流模式控制，默認5V高精度輸出時很大程度降低了系統成本。此外，芯片經過內部優化，可兼容**壓輸入(15Vdc以上)應用。IC芯片的靜態工作電流典型值為150uA。如此低的工作電流降低了對于VDD電容大小的要求，同時也可以幫助系統降低成本。通常條件下建議使用0.1-1uF瓷片電容。四川低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片原廠
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