特點:1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結構,優良的溫度特性和功率循環能力4、350A以下模塊皆為強迫風冷,400A以上模塊既可選用風冷,也可選用水冷5、安裝簡單,使用維修方便典型應用:1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業加熱控制4、調光5、無觸點開關6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、電池充放電三相整流橋模塊功率半導體模塊可控硅博飛宏大北京博飛宏大電子科技有限公司,廠家直銷,質量,價格有保證!如果您需要相關型號資料,電壓電流,封裝尺寸大小,可以隨時給您發送該產品的PDF文檔,供您參考!如果您訂購量大,并且有長期合作意向,可**先...
1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司**開發的全數字移相觸發集成電路,實現了控制電路與晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強電的電力調控功能。2(2)晶閘管智能模塊采用進口方形芯片、高級芯片支撐板,模塊壓降小、功耗低,效率高,節電效果好。3(3)晶閘管智能模塊采用進口貼片元件,保證了觸發控制電路的可靠性。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,經獨特處理方法和特殊焊接工藝,保證焊接層無空洞,導熱性能好。熱循環負載次數高于國家標準近10倍。5(5)晶閘管智能模塊采用高級導熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優良。6(6)晶閘管模塊采用觸發控制電路、主電路與導熱底板相互隔離,導...
晶閘管的主要電參數有正向轉折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態重復峰值電壓VDRM、反向重復峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態平均電流IT、門極觸發電壓VG、門極觸發電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉折電壓VBO晶閘管的正向轉折電壓VBO是指在額定結溫為100℃且門極(G)開路的條件下,在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關斷狀態轉變為導通狀態時所對應的峰值電壓。(二)晶閘管斷態重復峰值電壓VDRM斷態重復峰值電壓VDRM,是指晶閘管在正向阻斷時,允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉...
)=174A-232A顯然,通過以上的計算對于采用雙反星型并聯電路的ZX5-630;NBK-630;WSM-630焊機應選擇MTG200-300A/800V或MTG(AA)130-200A/400V的模塊。比較好選MTG250--300A/800V或MTG(AA)160-200A/400V的模塊.當然,焊機可靠長期正常工作除了與模塊正確選型有關外,與以下因素還有一定的關系:2焊機暫載率即額定負荷工作持續率(FS):根據焊機行業標準此類焊機暫載率一般為:35%;60%;。其定義如下:暫載率FS=負載滿負荷持續運行時間(t)/[負載滿負荷持續運行時間+休止時間]x=t/Tx上式中T為焊機的...
公司是專業從事電力電子產品研發、制作、銷售于一體的****公司主要產品:MTC(A、K、X)、MDC(A、K)、MFC(A、K、X)系列功率半導體模塊;MDS、MDQ、MFQ、MFF系列單相、三相整流橋模塊;BJD(H)系列單相、BJT(H)系列三相固繼電器;晶閘管智能模塊;ZP、ZK系列整流管;KP、KK、KS系列晶閘管;各種功率組件;電力電子器件用散熱器等。公司系列產品服務于電力、冶金、石油、煤炭、環保、航天、有色金屬、家用電器等領域。以產品種類齊全、品質可靠、供貨及時、服務誠信博得國內外客戶的一致好評。我們將始終秉承“以客戶為中心”的理念和“誠信為商、不斷創新、追求”的宗旨,...
它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點,以具有自關斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域,顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結構及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同,但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態,而GTO在導通后只能達到臨界...
特點:1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結構,優良的溫度特性和功率循環能力4、350A以下模塊皆為強迫風冷,400A以上模塊既可選用風冷,也可選用水冷5、安裝簡單,使用維修方便典型應用:1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業加熱控制4、調光5、無觸點開關6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、電池充放電三相整流橋模塊功率半導體模塊可控硅博飛宏大北京博飛宏大電子科技有限公司,廠家直銷,質量,價格有保證!如果您需要相關型號資料,電壓電流,封裝尺寸大小,可以隨時給您發送該產品的PDF文檔,供您參考!如果您訂購量大,并且有長期合作意向,可**先...
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特點:1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結構,優良的溫度特性和功率循環能力4、350A以下模塊皆為強迫風冷,400A以上模塊既可選用風冷,也可選用水冷5、安裝簡單,使用維修方便典型應用:1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業加熱控制4、調光5、無觸點開關6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、如果產品裝機配型不適用,可退換貨給您滿意貼心的服務,是我們一貫的宗旨!有10多年功率半導體元器件制造經驗,是專業從事功率半導體器件的研發、封裝、測試、銷售、技術服務為一體的****,多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領域的國產化工作。我公司的...
晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電器公司開發出世界上晶閘管產品,并于1958年使其商業化;晶閘管是PNPN四層半導體結構,它有三個極:陽極,陰極和門極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件,在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示(舊標準中用字母“SCR”表示)。晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆...
壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區別?可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,擁有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,這種可控硅模塊的體積非常的小,結構也十分的緊湊,對于維修與安裝都有很大的作用,可控硅模塊的類型非常的多,比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等,很多人不是很清楚兩者之間的差異,下面詳細的進行區分一下。①從電流方面來講,焊接式可控硅模塊可以做到160A電流,同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A,這就是講低于160A的模塊,不只是有焊接式的,同時也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來講,焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好,壓接式的屬于一體成型,技術十分的標準...
電焊機選型技巧華晶整流器一、概述:電焊機在進行各種金屬焊接時,根據焊接工藝的不同,對焊接時電弧的電壓和電流有不同的要求,因此需要各種不同特性的交流或直流電源。例如,在點、凸、峰焊、電阻焊時需要調節焊接隔離變壓器原邊的電壓大小(相控調壓或改變通過的周波數量),屬于晶閘管應用于交流調壓;在各種氬弧焊、CO2氣體保護焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應用時,反并聯的晶閘管串接在主回路中,直流調壓應用時,晶閘管可以組成單、三相全控或半控或雙反星型電路。改變晶閘管的導通角或控制晶閘管的開關時間即可達到調節焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來,CO2氣體保護焊機發展比較迅速,據報道,發達國...
電焊機在進行各種金屬焊接時,根據焊接工藝的不同,對焊接時電弧的電壓和電流有不同的要求,因此需要各種不同特*流或直流電源。例如,在點、凸、峰焊、電阻焊時需要調節焊接隔離變壓器原邊的電壓大小(相控調壓或改變通過的周波數量),屬于晶閘管應用于交流調壓;在各種氬弧焊、CO2氣體保護焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應用時,反并聯的晶閘管串接在主回路中,直流調壓應用時,晶閘管可以組成單、三相全控或半控或雙反星型電路。改變晶閘管的導通角或控制晶閘管的開關時間即可達到調節焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來,CO2氣體保護焊機發展比較迅速,據報道,發達國家這種焊機占到百分之六十或七十的比例,...
焊機晶閘管模塊故障維修1、松下焊機晶閘管模塊的型號及組成結構:松下焊機維修KR1系列焊機模塊型號見下表;2、松下焊機模塊的測量模塊的陰陽極電阻一般為兆歐極,陰控極電阻為幾歐至十幾歐。測量方法如下圖所示:KR1系列焊機模塊陰控極阻值見下表:另外請注意:在焊機上測量模塊陰控極電阻時,需將與其相連的觸發信號線拔下:測量陰陽極的電阻時,也需將與其相連的主電纜拆掉。模塊故障簡介:(1)陰控極或陰陽極斷路:如果某一組晶閘管的陰控極斷路或阻值變**于幾十歐),該組晶閘管就不能被觸發:而某一組晶閘管的陰、陽極發生斷路時,即便有觸發信號,該組晶閘管也不能導通。以上兩種情況會造成焊機輸出缺相,所表現出的...
特點:1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結構,優良的溫度特性和功率循環能力4、350A以下模塊皆為強迫風冷,400A以上模塊既可選用風冷,也可選用水冷5、安裝簡單,使用維修方便典型應用:1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業加熱控制4、調光5、無觸點開關6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、如果產品裝機配型不適用,可退換貨給您滿意貼心的服務,是我們一貫的宗旨!有10多年功率半導體元器件制造經驗,是專業從事功率半導體器件的研發、封裝、測試、銷售、技術服務為一體的****,多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領域的國產化工作。我公司的...
晶閘管模塊電流規格的選取 1、根據負載性質及負載額定電流進行選取 (1)電阻負載的較大電流應是負載額定電流的2倍。 (2)感性負載的較大電流應為額定負載電流的3倍。 (3)負載電流變化較大時,電流倍數適當增大。 (4)在運行過程中,負載的實際工作電流不應超過模塊的較大電流。 2、散熱器風機的選用 模塊正常工作時必須配備散熱器和風機,推薦采用廠家配套的散熱器和風機。如果用戶是自己提供的,則使用以下原則來選擇: (1)模塊正常工作時,必須能保證冷卻底板溫度不超過75℃; (2)當模塊負載較輕時,可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻; (3...
如大功率電阻、大功率三極管以及電源變壓器等。對于大功率晶閘管,必須按手冊申的要求加裝散熱裝置及冷卻條件,以保證管子工作時的溫度不超過結溫。②晶閘管在使用中發生超越和短路現象時,會引發過電流將管子燒毀。對于過電流,一般可在交流電源中加裝快速保險絲加以保護。快速保險絲的熔斷時間極短,一般保險絲的額定電流用晶閘管額定平均電流的。③交流電源在接通與斷開時,有可能在晶閘管的導通或阻斷對出現過壓現象,將管子擊穿。對于過電壓,可采用并聯RC吸收電路的方法。因為電容兩端的電壓不能突變,所以只要在晶閘管的陰極及陽極間并取RC電路,就可以削弱電源瞬間出現的過電壓,起到保護晶閘管的作用。當然也可以采用壓敏電...
晶閘管模塊 晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外部接線簡單、互換性好、維護安裝方便等優點,自誕生以來就受到各大功率半導體制造商的青睞,并得到了極大的發展。 晶閘管模塊一般對錯正弦電流有疑問,存在導通角,負載電流具有一定的波動和不穩定因素,晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差,因此在選擇模塊的電流標準時一定要留出一定的余量。 模塊冷卻狀態的好壞直接關系到產品的使用壽命和短期過載能力。溫度越低,模塊輸出電流越大。因此,在運行中必須配備散熱器和風扇。建議選擇具有過熱維護功能的商品,有水冷條件的優先采用水冷冷卻。 正高電氣以其獨特且具備設計韻味的產品體系。上海三相整流調...
紅表筆接K極時,電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發能力如圖2(a)所示,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無窮大;然后用黑表筆尖也同時接觸G極,加上正向觸發信號,表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通;脫開G極,只要GTO維持通態,就說明被測管具有觸發能力。3.檢查關斷能力現采用雙表法檢查GTO的關斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負向觸發信號,如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,證明GTO具有關斷能力。4.估測關斷增益βoff進行到第3步時,...
電焊機選型技巧華晶整流器一、概述:電焊機在進行各種金屬焊接時,根據焊接工藝的不同,對焊接時電弧的電壓和電流有不同的要求,因此需要各種不同特性的交流或直流電源。例如,在點、凸、峰焊、電阻焊時需要調節焊接隔離變壓器原邊的電壓大小(相控調壓或改變通過的周波數量),屬于晶閘管應用于交流調壓;在各種氬弧焊、CO2氣體保護焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應用時,反并聯的晶閘管串接在主回路中,直流調壓應用時,晶閘管可以組成單、三相全控或半控或雙反星型電路。改變晶閘管的導通角或控制晶閘管的開關時間即可達到調節焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來,CO2氣體保護焊機發展比較迅速,據報道,發達國...
5光控晶閘管是通過光信號控制晶閘管觸發導通的器件,它具有很強的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力,因而被應用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無功功率補償(SVC)等領域。其研制水平大約為8000V/3600A。6逆變晶閘管因具有較短的關斷時間(10~15s)而主要用于中頻感應加熱。在逆變電路中,它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前,其比較大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內。7非對稱晶閘管是一種正、反向電壓耐量不對稱的晶閘管。而逆導晶閘管不過是非對稱晶閘管的一種特例,是將晶閘管反并聯一個二極管制作在同一管芯...
晶閘管的主要電參數有正向轉折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態重復峰值電壓VDRM、反向重復峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態平均電流IT、門極觸發電壓VG、門極觸發電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉折電壓VBO晶閘管的正向轉折電壓VBO是指在額定結溫為100℃且門極(G)開路的條件下,在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關斷狀態轉變為導通狀態時所對應的峰值電壓。(二)晶閘管斷態重復峰值電壓VDRM斷態重復峰值電壓VDRM,是指晶閘管在正向阻斷時,允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉...
產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結,并提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3,當a1和a2隨發射極電流增加而(a1+a2)≈1時,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向導通狀態。式(1—1)中,在晶閘管導通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續導通。晶閘管在導通后,門極已失去作用。在晶閘管導通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻...
所述第三螺栓和第三螺母之間還設置有彈簧墊圈和平墊圈。此外,所述晶閘管單元中,所述壓塊7上還設置有絕緣套管。其中,所述絕緣套管與對應的壓塊之間還設置有墊圈。相類似地,所述第二晶閘管單元中,所述第二壓塊12上還設置有絕緣套管。其中,所述絕緣套管與對應的壓塊之間還設置有墊圈。為了實現門極銅排的安裝,所述外殼1上還設置有門極銅排安裝座。綜上所述,本發明的立式晶閘管模塊通過設置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠實現電力系統的多路控制,有效保證了電力系統的正常運行。對于本領域技術人員而言,顯然本發明不限于上述示范性實施例的細節,而且在不背離本發明的精神或基本特...
晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電器公司開發出世界上晶閘管產品,并于1958年使其商業化;晶閘管是PNPN四層半導體結構,它有三個極:陽極,陰極和門極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件,在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示(舊標準中用字母“SCR”表示)。晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆...
紅表筆接K極時,電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發能力如圖2(a)所示,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無窮大;然后用黑表筆尖也同時接觸G極,加上正向觸發信號,表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通;脫開G極,只要GTO維持通態,就說明被測管具有觸發能力。3.檢查關斷能力現采用雙表法檢查GTO的關斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負向觸發信號,如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,證明GTO具有關斷能力。4.估測關斷增益βoff進行到第3步時,...
電力電子開關技術領域,尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術:電力電子開關是指利用電子電路以及電力電子器件實現電路通斷的運行單元,至少包括一個可控的電子驅動器件,如晶閘管、晶體管、場效應管、可控硅、繼電器等。其中,現有的晶閘管*能夠實現單路控制,不利于晶閘管所在電力系統的投切控制。因此,針對上述問題,有必要提出進一步的解決方案。技術實現要素:本發明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊,以克服現有技術中存在的不足。為實現上述發明目的,本發明提供一種立式晶閘管模塊,其包括:外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元;所述晶閘管單...
以提高測試電壓和測試電流,使GTO可靠地導通。(2)要準確測量GTO的關斷增益βoff,必須有**測試設備。但在業余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同,測量結果*供參考,或作為相對比較的依據。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向導通晶閘管。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯一只二極管,使陽極與陰極的發射結均呈短路狀態。由于這種特殊電路結構,使之具有耐高壓、耐高溫、關斷時間短、通態電壓低等優良性能。例如,逆導晶閘管的關斷時間*幾微秒,工作頻率達幾十千赫,優于快速晶閘管(FSCR)。該器件適用于開關電源、UPS不間斷電源中,一只...
它可以用控制移相觸發脈沖來方便地改變負載的交流工作電壓,從而應用于精確地調溫、調光等阻性負載及部分感性負載場合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯輸出的增強型的區別在感性負載的場合,當LSR由通態關斷時,由于電流、電壓的相位不一致,將產生一個很大的電壓上升率dv/dt(換向dv/dt)加在雙向可控硅兩端,如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(典型值為10V/μs)則將導致延時關斷,甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態,只受靜態電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響,由兩只單向可控硅反并聯構成的增強型LSR比由一只雙向可控硅構成的普通型LSR的換向dv/dt有了...
晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過程中,晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負載相連,構成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,形成晶閘管模塊的控制電路。 從晶閘管模塊的內部分析工作過程: 晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個pn結圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。 當晶閘管模塊承載正向陽極電壓時,為了制造晶閘管模塊導體銅,承受反向電壓的pn結J2必須失去其阻擋作用。每個晶體管的集電極電流同時是另一個晶體管的基極電流。因此,當有足夠的柵極電流Ig流入時,兩個復合晶體管電路會形成較強的...