高擊穿電壓二極管摻雜濃度低,因此形成寬耗盡層(禁帶)。相反,低擊穿電壓二極管摻雜濃度高,所以它們形成窄耗盡層(禁帶)。二極管耗盡層寬時,不太可能發生電子隧穿(齊納擊穿),主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄,更容易發生齊納擊穿。隨著溫度上升,禁帶(E(g))寬度減小,從而產生齊納效應。此外,隨著溫度升高,半導體晶格振動增加,載流子遷移率相應下降。因此,不太可能發生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小,而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常,大多數情況下,齊納擊穿電壓約為6V以下,雪崩擊穿電壓約為6V以上。請注意,即使同一產品系列的二極管,溫度特性也不一樣。靜電放電(ESD)已經成為一個不可忽視的問題。ESD不僅會對電子產品造成損害,還會對人體造成傷害。廣州新型ESD保護二極管SR12D3BL型號多少錢
SR型號ESD靜電保護二極管采用了多級保護電路,可以有效地提高保護效果,保護電子元器件免受靜電干擾的損害。高可靠性:SR型號ESD靜電保護二極管采用了多種材料和工藝,可以有效地提高產品的可靠性和穩定性。它具有高溫、高濕、高壓、高頻等特殊環境下的穩定性,能夠保證產品的長期穩定性和可靠性。易于集成:SR型號ESD靜電保護二極管可以與其他電子元器件集成在一起,方便設計和制造。它具有小尺寸、輕量化、低功耗等特點,能夠滿足各種電子產品的設計需求。廣州新型ESD保護二極管SR12D3BL型號怎么樣ESD保護二極管是一種廣泛應用于電子設備中的元器件,用于保護電路免受靜電放電(ESD)的損害。
增強ESD保護性能:動態電阻 選擇動態電阻(R(DYN))盡可能低的ESD保護二極管。 鉗位電壓:根據所需V(RWM)選擇**小鉗位電壓(V(C))的ESD保護二極管。務必選擇V(C)低于受保護器件耐受電壓的二極管。.ESD保護二極管ESD耐受性:IEC 61000-4-2 選擇保證ESD性能高于系統ESD抗擾度要求的ESD保護二極管。但請注意,ESD保護二極管的ESD性能通常與其總電容成正比。IEC 61000-4-5 選擇電氣額定值高于峰值脈沖功率和峰值脈沖電流要求的ESD保護二極管。
總電容由二極管結電容和封裝中的寄生電容組成。其中很大一部分是結電容。反向偏置時,二極管因pn結(p:p型半導體,n:n型半導體)形成耗盡層產生電容。與電容相反,耗盡層起阻擋層的作用,只有少數載流子通過。降低半導體區摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此,為了減小二極管的電容,有必要減小pn結面積或提高反向擊穿電壓(V(BR)),但任何一種方式都會導致ESD抗擾度下降。當兩個二極管串聯時,它們的組合電容減小。此外,二極管反向ESD能量耐受性比正向差。東芝低電容(C(t))ESD保護二極管采用ESD二極管陣列工藝(EAP)制造,多個二極管組合在一起減小電容,不影響ESD抗擾度。對設計好的ESD靜電保護二極管進行測試,確保其符合客戶的需求和設備的特點。
ESD保護二極管數據表含有動態電阻(RDYN)。RDYN是反向導通模式下VF–IF曲線的斜率。如果發生ESD沖擊,給定電壓下,低動態電阻ESD保護二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看,ESD保護二極管和受保護器件的阻抗可視為并聯阻抗。如果ESD保護二極管阻抗(即動態電阻)低,則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流,減少流入受保護器件的電流,從而降低損壞的可能性。如果ESD保護二極管阻抗(即動態電阻)低,則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流到地(GND),從而減少流入受保護器件的電流。因此,ESD保護二極管有助于防止手保護啊器件因ESD沖擊而損壞。傳輸線脈沖(TLP)測試用于納秒級寬度短脈沖,根據隨時間變化的電流-電壓關系可研究二極管的電流-電壓(I-V)特性。下圖中,TLP I和TLP V分別電流和電壓。采用多級保護電路,可以有效地提高保護效果。深圳常規ESD保護二極管SR08D3BL多少錢
ESD靜電保護二極管已應用于多個客戶的電子設備中,如手機、電視、電腦、數碼相機、汽車電子、醫療設備等。廣州新型ESD保護二極管SR12D3BL型號多少錢
ESD保護二極管動態電阻與流入受保護器件的電流: 如何計算ESD保護二極管的動態電阻(R(DYN)),以及ESD電擊時浪涌電流的流向。如果ESD保護二極管阻抗(即動態電阻)低,則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流到地(GND),從而減少流入受保護器件的電流。因此,ESD保護二極管有助于防止手保護啊器件因ESD沖擊而損壞。傳輸線脈沖(TLP)測試用于納秒級寬度短脈沖,根據隨時間變化的電流-電壓關系可研究二極管的電流-電壓(I-V)特性。下圖中,TLP I和TLP V分別**電流和電壓。廣州新型ESD保護二極管SR12D3BL型號多少錢