云南鍵合機價格怎么樣

鍵合機特征高真空，對準，共價鍵合 在高真空環境（<5·10-8mbar）中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優異的表面性能 導電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R＆D的模塊化系統 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術數據 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個，蕞/大6個 加載：手動，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond®基活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對準模塊（VAM） 晶圓直徑 高達200毫米EVG鍵合機的特征有：壓力高達100 kN、基底高達200mm、溫度高達550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。云南鍵合機價格怎么樣

在將半導體晶圓切割成子部件之前，有機會使用自動步進測試儀來測試它所攜帶的眾多芯片，這些測試儀將測試探針順序放置在芯片上的微觀端點上，以激勵和讀取相關的測試點。這是一種實用的方法，因為有缺陷的芯片不會被封裝到ZUI終的組件或集成電路中，而只會在ZUI終測試時被拒絕。一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優化芯片恢復率。 EVG810 LT鍵合機服務為先GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準器，是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發的。

長久鍵合系統 EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來，立即在業內掀起了市場閣命。利用高溫和受控氣體環境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當今的工藝標準，EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設計功能，可優化鍵合良率。針對MEMS，3D集成或gao級封裝的不同市場需求，EVG優化了用于對準的多個模塊。下面是關于EVG的鍵合機EVG500系列介紹。

目前關于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發生流動、互融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層發生氧化時就會影響鍵合質量。EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，用來執行隨后的鍵合過程。

Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實際應用限制較大。康興華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結構，但不涉及對準問題，實際應用的價值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術對 MEMS 器件進行了圓片級封裝［6］，其鍵合強度可以達到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對帶有微結構的硅—硅直接鍵合進行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。 EVG鍵合機晶圓加工服務包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導體的導電鍵合、等離子活化直接鍵合。遼寧鍵合機推薦廠家

EVG501鍵合機：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數據記錄。云南鍵合機價格怎么樣

EVG®320自動化單晶圓清洗系統用途：自動單晶片清洗系統，可有效去除顆粒EVG320自動化單晶圓清洗系統可在處理站之間自動處理晶圓和基板。機械手處理系統可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動預對準和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外，配置選項還包括兆頻，刷子和稀釋的化學藥品清洗。特征多達四個清潔站全自動盒帶間或FOUP到FOUP處理可進行雙面清潔的邊緣處理（可選）使用1MHz的超音速噴嘴或區域傳感器（可選）進行高/效清潔先進的遠程診斷防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程 云南鍵合機價格怎么樣