EVG鍵合機加工結果除支持晶圓級和先進封裝,3D互連和MEMS制造外,EVG500系列晶圓鍵合機(系統)還可用于研發,中試或批量生產。它們通過在高真空,精確控制的準確的真空,溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應用。該系列擁有多種鍵合方法,包括陽極,熱壓縮,玻璃料,環氧樹脂,UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設計,可實現從研發到大批量生產的簡單技術轉換。 模塊設計 各種鍵合對準(對位)系統配置為各種MEMS和IC應用提供了多種優勢。使用直接(實時)或間接對準方法可以支持大量不同的對準技術。EVG?500系列鍵合模塊-適用于GEMINI,支持除紫外線固化膠以外的所有主流鍵合工藝。重慶鍵合機質保期多久
根據型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發,并且可以通過簡單的方法進行大批量生產,因為鍵合程序可以轉移到EVGGEMINI大批量生產系統中。鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時間和氣體,允許進行大多數鍵合過程。也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨力溫度控制補償了不同的熱膨脹系數,從而實現無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。 ComBond鍵合機鍵合精度GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準器,是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發的。
長久鍵合系統 EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來,立即在業內掀起了市場閣命。利用高溫和受控氣體環境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當今的工藝標準,EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設計功能,可優化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或gao級封裝的不同市場需求,EVG優化了用于對準的多個模塊。下面是關于EVG的鍵合機EVG500系列介紹。
熔融和混合鍵合系統:熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接,該介電層用于工程襯底或層轉移應用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器。混合鍵合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應用是高級3D設備堆疊。EVG的熔融和混合鍵合設備包含:EVG301單晶圓清洗系統;EVG320自動化單晶圓清洗系統;EVG810LT低溫等離子基活系統;EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統;EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統;GEMINIFB自動化生產晶圓鍵合系統;BONDSCALE自動化熔融鍵合生產系統。EVG鍵合機軟件,支持多語言,集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設置,可以簡化用戶常規操作。
ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統,高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術數據,EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設備和技術產品組合中的一個新里程碑,可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求ComBond支持的應用領域包括先進的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到膏端MEMS封裝,高性能邏輯和“beyondCMOS” 器件ComBond系統的模塊化集群設計提供了高度靈活的平臺,可以針對研發和高通量,大批量制造環境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數和熱膨脹系數(CTE)的異質材料的鍵合,并通過其獨特的氧化物去除工藝促進了導電鍵界面的形成ComBond高真空技術還可以實現鋁等金屬的低溫鍵合,這些金屬在周圍環境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合,都可以實現無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強度。EVG下的GEMINI系列是自動化生產晶圓鍵合系統。晶片鍵合機競爭力怎么樣
鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層、封裝,工程襯底zhi造,晶圓級3D集成,晶圓減薄等應用很實用的技術。重慶鍵合機質保期多久
晶圓級封裝在封裝方式上與傳統制造不同。該技術不是將電路分開然后在繼續進行測試之前應用封裝和引線,而是用于集成多個步驟。在晶片切割之前,將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應用于每個集成電路。測試通常也發生在晶片切割之前。像許多其他常見的組件封裝類型一樣,用晶圓級封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術。通過熔化附著在元件上的焊球,將表面安裝器件直接應用于電路板的表面。晶圓級組件通常可以與其他表面貼裝設備類似地使用。例如,它們通常可以在卷帶機上購買,以用于稱為拾取和放置機器的自動化組件放置系統。 重慶鍵合機質保期多久